2021年8

　　（1）光刻胶为晶圆制制焦点材料，受益于AI海潮需求景气向上。光刻胶是一类对光或其他辐射的高材料，经、显影和蚀刻等工序将掩膜版上的图形转移到薄膜上，按光源波长，半导体光刻胶可分为g线nm）、i线。5nm），价值量取手艺壁垒顺次提拔：g/i线次要用于功率器件、模仿芯片、MCU等成熟制程；KrF笼盖0。11μm至90nm节点；ArF笼盖90nm至7nm节点，是先辈逻辑和存储芯片量产的从力光刻胶；EUV用于7nm及以下先辈制程。按照彤程新材招股仿单（征引弗若斯特沙利文数据），2024年我国半导体光刻胶市场规模约56亿元，估计2026年达81亿元、2029年增至115亿元，2024-2029年CAGR约15。5%，（2）全球供给款式高度集中，日本厂商占领从导，国内高端产物依赖进口。2025年前六大半导体光刻胶出产商合计占领全球约83。91%的市场份额，焦点玩家包罗东京应化TOK、JSR、信越化学、富士、住友化学等。需求端，2025年占35。14%的份额；供给端，2025M1-M9我国半导体光刻胶CR10收入为54。6亿元，此中日本厂商占比达76%，进口依赖度高企。（3）日本出口管制持续趋严，供应不确定性上升，国产替代势正在必行。2025年11月，日本修订《出口商业办理令》，将ArF和EUV光刻胶纳入出口管制清单，实施“逐案审批”轨制，审批周期从30天耽误至90天，约110家中国半导体企业被列入沉点核查清单；2025年12月30日，东京应化等日企又自动将i线和KrF光刻胶的审批周期耽误至最长90天。我们认为，日本对华光刻胶出口持续趋紧，供应存正在不确定性，国产替代紧迫性显著提拔。（4）国产光刻胶已冲破g/i线，高端品类进入验证放量期，关心原料自研取验证领先的标的。当前g/i线%，EUV根基空白。国产替代的焦点难点正在于原材料、配方取客户验证：1）树脂取光激发剂高度依赖进口，半导体光刻胶中树脂成本占比达40%-75%，ArF树脂合成工艺壁垒极高；2）配方需从数十种可选单体、上百种专利型光酸及多种功能性帮剂中系统性筛选组合，海外龙头先发劣势较着。（5）我们从半导体光刻胶、显示取面板光刻胶、PCB光刻胶及上逛材料四条线索梳理A股相关标的，沉点关心具备焦点原料自研能力、验证进展领先、产能节拍明白的企业。晶圆厂验证不及预期；高端原料取设备受限；下逛景气及开工率波动；行业合作加剧取价钱下降；手艺线变化。